钟振扬
钟振扬 副研究员
教育背景:09/1990-07/1995：北京大学电子学系学士学位；09/1995-09/1998：中科院物理所硕博联读；10/1998-12/2000：美国休斯顿大学物理系攻读博士学位(中科院物理所和美国休斯顿大学物理系联合培养)；01/2001：获中科院物理所的理学博士学位。
研究领域:半导体纳米材料
研究方向: 位置可控半导体纳米材料的生长，特性测量及其器件应用的探索；半导体纳米材料的光电特性研究。
在国际学术刊物 Phys. Rev. Lett.，Phys. Rev. B., Appl. Phys. Lett. 等SCI杂志上发表论文26, 其中15篇为第一作者,这些论文被他人SCI文献引用超过140次; 为即将出版的关与纳米科学和技术的丛书之一写了一章; 在国际会议上作学术报告8次, 其中三次是邀请报告.