铌三锗
triniobium aluminium
分子式:Nb3Ge
性质:超导化合物,Al5结构。生成温度1970℃,中间相均相区为15%~22%(原子),生成β中间相最佳成分为21%(原子)。超导临界温度Tc=23.4K。在4.2K的上临界磁场Hc2=37.0T。采用溅射法、电子束共蒸法和在700~1000℃用氯化物还原法制取薄膜。主要用作超导材料,如制取约瑟夫森器件。
triniobium aluminium
分子式:Nb3Ge
性质:超导化合物,Al5结构。生成温度1970℃,中间相均相区为15%~22%(原子),生成β中间相最佳成分为21%(原子)。超导临界温度Tc=23.4K。在4.2K的上临界磁场Hc2=37.0T。采用溅射法、电子束共蒸法和在700~1000℃用氯化物还原法制取薄膜。主要用作超导材料,如制取约瑟夫森器件。