定义：为了改善硅太阳电池的效率，在p-n结制备完成后，往往在硅片的背面即背光面，沉积一层铝膜，制备P+层，称为铝背场。
作用：减少少数载流子在背面复合的概率。也可以作为背面的金属电极。
制备方法：最简单的方法是利用溅射等技术在硅片背面沉积一层铝膜，然后再800～1000℃热处理，使铝膜和硅合金化并内扩散，形成一层高铝浓度掺杂的P+层，构成铝背场。