沟道效应

channeling effect

是带电粒子入射到单晶中的一种特殊现象。当带电粒子以小角度射入单晶中的一行行原子时，若粒子轨迹被限于原子的行和面之间，可使粒子射程比随机方向射入时显著增加，具有异常的穿透作用。可用于在硅和其他单晶中掺杂低能重离子，也用于分析晶体中的杂质原子。

当注入离子沿着基材的晶向注入时，则注入离子可能与晶格原子发生较少的碰撞而进入离表面较深的位置，这一现象称为沟道效应。