张凯军
张凯军
张凯军，男，1962年5月生，籍贯山东。现为东北师范大学数学与统计学院教授、博士生导师、应用数学研究所所长、数学与统计学院教授委员会教授、东北师范大学数学一级学科博士点非线性分析研究方向学术带头人、东北师范大学自然科学学术委员会委员。1983年获东北师范大学数学系理学学士。1988年获北京大学数学系理学硕士，师从姜礼尚教授和叶其孝教授。1999年获中国科学院数学研究所理学博士，师从肖玲教授和法国国家科学中心主任研究员Pierre Degond教授。2000-2001年奥地利维也纳大学数学研究所博士后研究员，合作导师Norbert J.Mauser教授。主要从事非线性分析、偏微分方程、数学模型及其应用等领域的数学研究工作。与法国数学家Pierre Degond教授合作，在国际上首次建立了半导体超晶格框架下的半导体载流子量子传输的微观散射模型和宏观SHE模型。在半导体偏微分方程的相应领域取得的一些研究工作引起了国际同行的关注，为Markowich Peter, Ben Abdallah Naoufel, Jüngel Ansgar, Xu Jinchao, Alì Giuseppe和Gasser Ingenuin 等教授所引用。近年来一直和国际同行专家保持密切的学术合作关系。多次应邀访问欧洲的一些著名大学和研究机构。在多次国际学术会议上做学术报告。参加了奥地利政府1999年START奖项目“Nonlinear Schrodinger and Quantum Boltzmann Equations”的研究工作，并主持了国家自然科学基金面上项目、教育部科学技术研究重点项目、教育部回国留学基金项目、吉林省教育厅科技重点项目等研究项目。发表教育研究文章：“建设中国世界一流大学的时机已经成熟”、“中国教育的一二三与无穷大”、“大学校长制度如是说”、 “本科师范教学与应用型人才的教育科学关系”、“也谈教育规划刚要”。
东北师范大学理学学士（1983），北京大学理学硕士（1988），中国科学院数学研究所与法国国家科学中心联合培养理学博士（1999），奥地利维也纳大学数学研究所博士后研究员（2000-2001）。
主要从事非线性分析、偏微分方程、数学模型及其应用等领域的研究工作。与法国、奥地利和中国的一些国际高水平专家合作，在半导体偏微分方程的相关领域取得了一些引起国际同行关注的研究成果。
研究论文发表在Journal of Differential Equations, SIAM Journal of Applied Mathematics, Mathematical Model and Methods in Applied Science, Monatshefte fuer Mathematik, Applied Mathematics Letter,Chinese Annals of Mathematics(B)等一些国际知名数学杂志上。
一些研究成果被美国数学会数学科学网显示以较高引用率（reference citation）为国际同行所引用. 近年来一直和国际同行专家保持密切的学术合作关系. 多次应邀访问欧洲的一些著名大学和研究机构. 在多次国际学术会议上做学术报告.
主持国家自然科学基金面上项目两项 (2003-2005)（2006-2008）; 教育部科学技术研究重点项目一项 (2004-2006)和教育部回国留学基金项目一项(2003-2005).
学习及工作简历主要学习简历（含国内外访学）
1979.09.-1983.07 东北师范大学数学系学生
1985.09-1988.07 北京大学数学系硕士研究生
1996.09-1999.07 中国科学院数学研究所博士研究生
1998.03-05 法国国家科学中心（CNRS）及法国PAUL SABATIER 大学访问博士生
1998.11.-1999.01法国国家科学中心（CNRS）及法国PAUL SABATIER 大学访问博士生
主要工作简历
1983.07-1985.08 东北师范大学数学系助教
1988.07-1996.08 烟台大学数学系讲师、副教授
1999.07-1999.12 北华大学数学研究所副教授
1999.09-1999.11 法国国家科学中心（CNRS）及法国PAUL SABATIER 大学访问教授
2000.01-2002.08 北华大学数学研究所教授
2000.10-2001.10 奥地利维也纳大学数学研究所博士后研究员
2001.05 德国KONSTANZ大学访问教授
2002.09- 东北师范大学数学系教授
2003.12- 东北师范大学博士生导师
主要科研方向
偏微分方程 非线性分析 数学模型及应用
主要科研项目
1）“Nonlinear Schrodinger and Quantum Boltzmann Equations” (奥地利政府1999年START奖项目: No. Y137-TEC)，奥地利政府，1999.10-2004.12 （参加者）；
2）工业问题中的数学模型方法及相关模型的数学分析和数值模拟，吉林省教育厅，2000.09-2002.12（主持人）；
3）半导体SHE模型和QHD模型的理论与计算研究，国家自然科学基金面上项目，2003.01-2005.12（主持人）；
4）半导体与超晶格量子传输的数学理论研究，教育部回国留学基金，2003.05-2005.12（主持人）；
5) 半导体偏微分方程及相关系统的最优控制，教育部科学技术研究重点项目，2004.01．01-2006.12．31（主持人）；
6）半导体超晶格模型的数学分析与数值模拟，国家自然科学基金面上项目，2006.01-2008.12 （主持人）。
主要科研成果
(1) ( with Guojing Zhang and Hailiang Li) Semiclassical and relaxation limits of bipolar quantum hydrodynamic model for semiconductors. J. Differential Equations 245 (2008), no. 6, 1433--1453.
(2) ( with Hailiang Li and Guojing Zhang) Algebraic time decay for the bipolar quantum hydrodynamic model, Mathematical Models and Methods in Applied Sciences, Vol.18, No.6 (2008) 859-881.
(3) ( with Guojing Zhang) On the bipolar multidimensional quantum Euler-Poisson system: the thermal equilibrium solution and semiclassical limit. Nonlinear Anal. 66 (2007), no. 10, 2218--2229.
(4) ( with Bo Liang) Steady-state Solutions and Asymptotic Limits on the Multi-dimensional Semiconductor Quantum Hydrodynamic Model, Mathematical Models and Methods in Applied Sciences, Vol.17, No.2 (2007) 253-275.
(5) ( with Hsiao Ling and Mauser Norbert J.) The Relaxation Limits to the Bipolar Hydrodynamic Model for Semiconductors, Applied Mathematics Letter, 17, 95-100, 2004
(6) ( with Mauser Norbert J. and Qiu Youchun ) Global Existence and Asymptotic Limits of Weak Solutions of the Bipolar Hydrodynamic Model for Semiconductors， Monatshefte fur Mathematik, 140, 285-313，2003
(7) ( with Pierre Degond ) A Scattering Matrix Model of Semiconductor Superlattices in Multidimensional Wave-Vector Space and Its Diffusion Limit， Chinese Annals of Mathematics, 24B: 2, 167-190，2003
(8) ( with Pierre Degond ) Diffusion Approximation of a Scattering Matrix Model of Semiconductor Superlattices,SIAM Journal of Applied Mathematics,Vol.63,No.1,279-298,2002
(9) ( with Youchun Qiu ) On the Relaxation Limits of the Hydrodynamic Model for Semiconductor Devices, Mathematical Models and Methods in Applied Sciences, Vol.12, No.3,333-363,2002
(10)On the Initial-Boundary Value Problem for the Bipolar Hydrodynamic Model for Semiconductors, Journal of Differential Equations,171/2, 251-293, 2001
(11) ( with Hsiao L.) The Global Weak Solution and Relaxation Limits of the Initial-Boundary Value Problem to the Bipolar Hydrodynamic Model for Semiconductors, Mathematical Models and Methods in Applied Sciences,10/9, 1333-1361, 2000
(12) ( with Hsiao L.) The Relaxation of the Hydrodynamic Model for Semiconductors to the Drift-Diffusion Equations, Journal of Differential Equations,165/2,315-354,2000