顾书林
南京大学物理系教授南京大学物理系教授，理学博士，博士生导师。
1998 年至 2000 年在美国 WISCONSIN 大学作访问研究。目前主要从事宽带隙半导体材料的生长与器件的研制。
长期从事半导体异质结构材料与器件应用方面的研究工作，对元素半导体（锗硅）和宽带隙材料（ GaN ， ZnO 等）的外延生长技术与性质及器件的研制有深入的研究，取得了一系列有创新意义的研究成果。在材料生长技术方面，提出了锗硅异质结构外延中氢抑制锗分凝行为的技术，获国家发明专利，发展了生长高性能锗硅异质结构材料的技术与方法，揭示了 ZnO 缓冲层对 GaN 成核和生长作用的机理，提出并实现了 GaN 在蓝宝石直接成核的技术，发现了生长条件及反应过程控制材料结构性质的内在机理，提出并实现了抑制材料中裂纹产生的方法与技术等。
共主持、具体负责和主要参加了国家自然科学基金，国家 "863" 计划，国家 "973" 计划，等十多项研究项目。先后在国内外学术刊物和国际学术会议上发表学术论文 40 多篇（第一作者），通过省部级以上成果鉴定 5 项，获得国家专利 2 项，获国家发明三等奖一项，教委科技进步二等奖一项，江苏省科技进步三等奖一项。
部分代表作：
Shulin Gu, Rong Zhang, Jingxi Sun, Ling Zhang, and T. F. Kuech
Role of interfacial compound formation associated with the use of ZnO buffers layers in the hydride vapor phase epitaxy of GaNAppl. Phys. Lett. , 2000 ， 76, 3454 SL Gu, R Zhang, L Zhang, and T. F. Kuech
The impact of initial growth and substrate nitridation on thick GaN growth on sapphire by hydride vapor phase epitaxy
J. Cryst. Growth , 231, 343(2001)
Hau JWP, Matthews MJ, Abusch-Magder D, Shulin Gu, T. F. Kuech
Spatial Variation of electrical properties in lateral epitaxial overgrown GaN
Applied Physics Letters , 79(6), 761(2001)
J.D. YE, S.L. GU, S.M. ZHU, et al.
The growth and annealing of single crystalline ZnO films by low-pressure MOCVD
Journal of Crystal Growth 243, 151-156 (2002)
J.D. YE, S.L. GU, S.M. ZHU, et al.
Raman and photoluminescence of ZnO films deposited on Si (111) using low-pressure metalorganic chemical vapor deposition
J. Vac. Sci. Technol. A 21(4), 979 (2003)