面垒型半导体探测器是射线测量中半导体探测器的一种类型。应用较多的是金硅面垒型，以经过适当处理的单晶片表面蒸发上一层薄金而制成。这一金属—半导体界面有整流特性，工作时以涂金层作为阴极，以硅基片另一面被蒸发上一薄层铝或镍作为电极接触引线与电源正极相连。使用时需配以电荷灵敏度的放大器始能检测其产生的电脉冲信号。