结型场效应管可变电阻区

王朝百科·作者佚名  2010-05-27  
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结型场效应管可变电阻区

结型场效应管可变电阻区

类似于晶体三极管的饱和区。VGS不同对应不同的电阻,且受VGS控制。VGS一定时, VDS的变化直接影响着ID的变化,相当于一个受控电阻,阻值的大小与VGS相关。

当uDS很小,|uDS-uGS|<|UGSoff|时,即预夹断前,uDS的变化直接影响整个沟道的电场强度,从而影响iD的大小。所以在此区域,随着uDS的增大,iD增大很快。与双极型晶体管不同,在JFET中,栅源电压uGS对iD上升的斜率影响较大,随着|UGS|增大,曲线斜率变小,说明JFET的输出电阻变大。

 
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