内存计时
内存计时是测试内存条时产生的数据，例：5-5-6-15 这四个数据解释见下，总的说来是越小越好!
CAS＃ Latency：行地址控制器延迟时间，简称CL。表示从已经寻址的行，到达输出缓存器的数据所需要的时钟循环数。对内存来说，这是最重要的一个参数，这个值越小，系统读取内存数据的速度就越快，反之越慢。
RAS＃ to CAS＃：列地址至行地址的延迟时间，简称RCD，表示在已经决定的列地址和已经送出行地址之间的时钟循环数，以时钟周期数为单位，该值越小越好。
RAS# Precharge：列地址控制器预充电时间，简称tRP，表示对回路预充电所需要的时钟循环数，以决定列地址。同样以时钟周期数为单位，也是越小越好。
TRas#：列动态时间，也称tRAS，表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟，以时钟周期数为单位，通常是最后也是最大的一个数字。