电子级四氯化硅
electronic grade silicon tetrachloride[1]
分子式：SiCl4
性质：无色、有腐蚀性、不可燃液体，有令人窒息的臭味。曝露于湿空气时形成浓烟，迅速水解放出氯化氢。沸点57.6℃。熔点-70.0℃。液体密度1483kg/m3(21.1℃)。TLV(按HCl)5×10-6。
其制法是以工业级四氯化硅为原料，采用精馏工艺，或再与吸附工艺相结合进行提纯。
四氯化硅用作半导体硅外延的硅源。由于它的沸点高，可作为优良的低温硅淀积的源材料。
electronic grade silicon tetrachloride[1]
分子式：SiCl4
性质：无色、有腐蚀性、不可燃液体，有令人窒息的臭味。曝露于湿空气时形成浓烟，迅速水解放出氯化氢。沸点57.6℃。熔点-70.0℃。液体密度1483kg/m3(21.1℃)。TLV(按HCl)5×10-6。
其制法是以工业级四氯化硅为原料，采用精馏工艺，或再与吸附工艺相结合进行提纯。
四氯化硅用作半导体硅外延的硅源。由于它的沸点高，可作为优良的低温硅淀积的源材料。