抛光液
简介polishing slurry
抛光液
CMP（Chemical Mechanical Polishing）
化学机械抛光
这两个概念主要出现在半导体加工过程中，最初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是目前能够实现全剧平面化的唯一有效方法。
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。
硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用打渔机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用打渔化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
产品硅材料抛光液
蓝宝石抛光液
砷化镓抛光液
铌酸锂抛光液
锗抛光液
集成电路多次铜布线抛光液
集成电路阻挡层抛光液
“石家庄·海星”成立于1996年，是一家专门致力于电子级纳米磨料、抛光液及相配套产品技术开发、生产、销售和服务的高新技术企业，公司产品主要有二氧化硅磨料、三氧化二铝磨料、半导体晶片抛光液、不锈钢抛光液、粘合蜡、去蜡清洗剂、脱漆剂、替代ODS类清洗剂、云母粉、透明粉、人造石透明粉、填充母料、高阻硅材料等。公司拥有15000m2标准厂房 ，其中包括万级和局部千级的净化室，建有先进的电子级二氧化硅纳米材料和抛光液两条生产线，年生产能力达2000吨；建有自动化清洗液灌装线一条，可生产高纯度试剂级清洗剂；建有各类粉体生产线6条，年产粉体共计1500吨；公司严格按照ISO9000质量体系进行管理，具有自主知识产权的产品满足行业质量要求。公司产品通过了SGS环保认证（欧盟RHOS指令要求）和MSDS化学危险品认证；2008年产品又通过欧盟要求的PFOS及PFOP环保认证。
抛光液系列
铜抛光液（配比1） LS-FC04
硬盘抛光液（配比1/碱性） LS-ALS
蓝宝石抛光液（配比1） LS-FC01
不锈钢抛光液 LS-SSS
其他化合物半导体抛光液（配比1）LS-FC05
硅材料抛光液
抛光液(配比10) LS-SS10
抛光液(配比15) LS-SS15
抛光液(配比25) LS-SS25
抛光液(配比30) LS-SS30
抛光液(特殊客户) LS-SS120
抛光液（高速率） LS-01
非硅半导体材料抛光液
砷化镓抛光液（酸性精抛） LS-GA100
砷化镓抛光液（碱性粗抛） LS-GA01
锗抛光液 LS-G01
电子玻璃抛光液 LS-G02