集成光电子学国家重点联合实验室

【单位概况】集成光电子学国家重点联合实验室由清华大学、吉林大学和中科院半导体研究所联合组建[1]。

1991年1月，通过国家有关部门的验收后正式对外开放。

通过二十年来的建设和发展，实验室设备条件初具规模，各种材料生长和表征设备基本上能够满足实验室科研工作的要求，实验室已成为集成光电子材料、器件及其在光纤通信网络中应用技术等领域的国内主要研究基地。

【科研领域】集成光电子学国家重点联合实验室半导体所实验区重点研究基于半导体光电子材料和微纳光电子材料的各种新型光电子器件以及光子集成器件，研究上述器件在光纤通信系统与网络、光信息处理与显示、光传感技术、太阳能及固态照明、以及关系国家安全领域中的应用技术及其系统技术。

为以下8个研究方向：

1

Si基异构纳米光电子材料和器件研究

2

宽禁带半导体材料及器件, GaN蓝绿光激光器和紫外光探测器及其阵列

3

微纳光子学器件

4

SOI光波导器件

5

Si基微纳光子集成回路和芯片光互连技术

6

光子学器件的高速测试和封装技术研究，光学方法产生微波的关键技术研究，高速光互联技术研究

7

集成光子学器件在光传感技术方面的应用

8

工程化的特种光电子器件的研制以及部分

【科研支撑】集成光电子学国家重点实验室半导体所区现有固定人员49人，其中科研人员34人，技术支撑人员14人，管理人员1人。

科研人员包括两位中国科学院院士，11名研究员和12名副研究员。实验室现有博士和硕士研究生124人，博士后1人。

实验室学术委员会主任：黄永箴（中国科学院半导体所研究员）