杨成刚
杨成刚 男，．彝族，大学本科文化，工程师，1965 年10月生，贵州大方县人。1989年毕业于贵州大学物理系半导体物理与器件专业。在校期间，连年被评为校级三好学生。毕业后，分配到中国振华电子工业公司国营第四四三三厂工作，主要从事半导体集成电路和混合集成电路方面的科研工作。进厂后，他致力于光刻工艺的研究，采用直接光刻工艺代替机械掩模蒸发工艺，进行分步光刻选择刻蚀来形成薄膜无源网络，其最小间距或带宽可达10um左右，使集成度大大提高，适用于大批量生产，为后来的高尖端新产品的研制和生产奠定了基础。曾参与该厂军工器件FX0032超高速FET运算放大器、FX0002电流放大器、FX8510功率运算放大器、FH8048对数放大器、FX3290BiMOS双电压比较器等的研制，并取得成功。发表的代表性论文有：《半导体热敏电阻的温敏特性在对数放大器中的应用》《阳极氧化铝工艺在薄膜混合集成电路中的应用》《 Ni－Cr薄膜电阻在对数放大器中的应用》等。待发表的论文有：《FX3290BiMOS双电压比较器的研制》《铝导带薄膜混合集成电路工艺的研究》等。1995年被贵州省国防工业工会和贵州省国防科技工业办公室评为“1994年度企业走向市场立功竞赛先进个人”荣誉。