纳米碳化硅
SiC一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多独特的优异性能和更加广泛的应用前景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。SiC纳米材料具有高的禁带宽度，高的临界击穿电场和热导率，小的介电常数和较高的电子饱和迁移率，以及抗辐射能力强，机械性能好等特性，成为制作高频、大工率、低能耗、耐高温和抗辐射器件的电子和光电子器件的理想材料。SiC 纳米线表现出的室温光致发光性，使其成为制造蓝光发光二极管和激光二极管的理想材料。近年来的研究表明：微米级SiC晶须已被应用于增强陶瓷基、金属基和聚合物基复合材料，这些复合材料均表现出良好的机械性能，可以想象用强度硬度更高及长径比更大的SiC 一维纳米材料作为复合材料的增强相，将会使其性能得到进一步增强。SiC一维纳米材料具有[1]阈值场强低，电流密度大，高温稳定性好等优异特点可望作为电场发射材料，利用这一特性可制成第三代新型电子光源，并将在图像显示技术方面发挥巨大作用。随着研究的深入，研究者还发现一维SiC纳米结构在储氢、光催化和传感等领域都有广泛的应用前景。
特点纯度高，粒径小，分布均匀，比表面积大，高表面活性，松装密度低，具有极好的力学，热学，电学和化学性能，即具有高硬度，高耐磨性和良好的自润滑，高热传导率，低热膨胀系数及高温强度大等特点
参数性能指标 纳米陶瓷粉 纯度 游离硅 总氧含量 晶型 平均粒度 比表面积 松装密度 外观颜色
纳米SiC >99.09% <0.2% <0.61% 立方结构 40 90㎡/g 0.05g/cm3 灰绿色
用途1制造结构器件：如冶金，化工，机械，航天及能源等行业中使用的滑动轴承，液体燃料喷嘴，坩埚，大功率高频率模具，半导体元器件等。
2.金属及其它材料表面处理： 刀具，模具，耐热涂层，散热表面涂层，防腐涂层及吸波涂层等。
3.复合材料： 制备金属基，陶瓷基，高分子基复合材料。