THB6016H

THB6016H(峰值电流3.5A)

详细参数:

低功耗、高集成的两相混合式步进电机驱动芯片 THB6016H

THB6016H是低功耗、高集成的两相混合式步进电机驱动芯片，该芯片内置双全桥MOSFET驱动、温度保护及过流保护，采用HZIP25-P-1.27封装（尺寸：36×17mm），每相额定电流2.5A、最大峰值3.5A，最大工作电压40V，最小4.5V，外围电路简单、工作可靠、使用方便。

本公司提供参考驱动电路，产品运行平稳、低振动、低噪音。

一、特性

● 双全桥MOSFET驱动

● 耐压40V

● 电流3.5A（峰值）

● 具有１／2细分、１／4细分、１／８细分、１／16细分运行方式可供选择

● 内置温度保护及过流保护

● 采用HZIP25-P-1.27封装

● 外围电路简单

二、管脚说明

1、TQ2：电机力矩控制端，即可以选择不同的工作电流，也可以在电机不转时作半流锁定功能

2、TQ1：

3、CLK：输入脉冲

4、ENABLE：使能端

5、RESET：上电复位

6、地线

7、OSC：斩波频率控制端：C=1000PF，f=44KHz；C=330PF，f=130KHz

8、VH：驱动电压小于40VDC

9、MB：电机绕组B相

10、地线

11、RB：B相电流检测端，须大于0.2Ω 0.2Ω/1W=2.5A 0.22Ω/1W＝2.0A 0.3Ω/1W=1.5A 0.35Ω/1W=1.25A 0.47Ω/1W＝1A

12、MB-：电机绕组B相

13、MA：电机绕组A相

14、RA：A相电流检测端，须大于0.2Ω 0.2Ω/1W=2.5A 0.22Ω/1W＝2.0A 0.3Ω/1W=1.5A 0.35Ω/1W=1.25A 0.47Ω/1W＝1A

15、地线

16、MA-：电机绕组A相

17、空

18、VH：驱动电压小于40VDC

19、TSD：温度保护，芯片温度大于150℃自动断开所有输出

20、VCC：5V稳压电源

21：DIR：正反转控制

22、M2：细分数选择端

23、M1：细分数选择端

24、PFD2：衰减方式控制端

25、PFD1：衰减方式控制端

斩波频率说明：

电容值：450P

慢衰减：2细分 斩波时间：40us 占空比（高—低）：4—36

快衰减：16细分 斩波时间：40us 占空比（高—低）：20—20

电容值：150P

慢衰减：2细分 斩波时间：15us 占空比（高—低）：1.5—13.5

快衰减：16细分 斩波时间：15us 占空比（高—低）：7.5—7.5

三、THB6016H原理图

四、封装图

北京博远鼎盛电子科技有限公司