荷电效应
英文名称：Charged effect
名称定义对于导电性能不好的样品如半导体材料,绝缘体薄膜,在电子束的作用下,其表面会产生一定的负电荷积累,这就是俄歇电子能谱中的荷电效应.样品表面荷电相当于给表面自由的俄歇电子增加了一定的额外电压, 使得测得的俄歇动能比正常的要高.在俄歇电子能谱中,由于电子束的束流密度很高,样品荷电是一个很严重的问题.有些导电性不好的样品,经常因为荷电严重而不能获得俄歇谱.但由于高能电子的穿透能力以及样品表面二次电子的发射作用,对于一般在100nm厚度以下的绝缘体薄膜,如果基体材料能导电的话,其荷电效应几乎可以自身消除.因此,对于一般的薄膜样品,一般不用考虑其荷电效应.
消除绝缘材料荷电效应的新方法在环境扫描电镜（ESEM）中注入氧气，减少和消除绝缘样品表面在电子束辐照下产生的荷电效应。二次电子像的观察显示，在压力为130Pa～600Pa的ESEM中，氧气对Al2O3、Al（OH）3等氧化物、氢氧化物及生物样品的荷电补偿效果，优于常用的水蒸汽环境。通过吸收电流I。的实时测试，评价了氧环境的荷电补偿效果。采用氧气减少表面荷电基于一个新的概念：在电子束的辐照下，电子受激解吸可造成表面氧亏损，使能带产生畸变，形成捕获电子的势阱。氧环境提供的氧离子可实现对氧空位的修复，从而消除了荷电效应。
非导电样品荷电效应的吸收电流评价方法在扫描电镜(SEM)中,通过记录和实时处理电子束辐照样品过程中产生的吸收电流La,评价非导电样品的荷电效应.对于非导电样品,La的绝对值很小,且变化幅度很大,这是电荷在非导电样品表面被捕获、积累和释放过程的直接反映.此外,La还可用来评价荷电补偿(改变环境压力、改变成像参数及对样品表面进行导电处理)的效果.