反向二极管

反向二极管（Backward diode）又称为反向隧道二极管。它是一种反向导电性优于正向导电性的一种二极管。

反向二极管的核心是一个高掺杂的p-n 结，但结的一边是简并的，另一边是掺杂浓度稍低一点、接近简并而又不完全简并 (即Fermi能级不进入能带)的半导体。这种二极管在较低工作电压时，其正向电流很小（正向特性与普通的p-n结相似，是少数载流子的扩散电流，不出现隧道电流），而反向电流很大（是隧道电流）。

因为p-n结的隧道击穿电压比其正向导通电压还低，故这种二极管的伏安特性曲线，在较小电压范围内与普通p-n结二极管的恰好相反，从而称为“反向二极管”。