基区渡越时间
对于双极型晶体管，少数载流子渡越中性基区的时间τB即称为基区渡越时间；它与基区宽度W直接有关：因为
In = Aqnp(x)v(x)，dx = v(x) dt，
则得到 τB = ∫o [1/v(x)] dx = ∫o [Aqnp(x)/In]dx ≈ QB / IC 。
对均匀基区晶体管τB = W/ ( 2 Dn )；对缓变基区晶体管τB = W / (ηDn)，η> 2。对于基区较宽、特征频率fT不是很高的晶体管，τB往往是决定晶体管频率特性的主要因素，这时为了提高频率性能，就应当减小基区宽度（可采用浅结工艺来制作薄的基区）和增大电场因子η（可增加基区在发射结一侧的掺杂浓度来增强漂移电场，同时可提高发射区杂质分布的陡峭度以减小阻滞电场，不过，若掺杂浓度太高反而会使载流子的扩散系数减小，故η一般控制在3~6之间）。