E-M模型
（1）基本概念：E-M模型(Ebers-Moll model) 是用来概括BJT的电学特性的一种模型（或者等效电路）。理想BJT的E-M模型，是一种非线性直流模型（记为EM1模型），对直流分析很有用处。如果再计入非线性电荷存储效应和串联电阻，则记为EM2模型，该模型在集成电路分析设计等许多场合经常使用（因为模拟精度高、建模简易、快速、结果易理解等）。进一步，若再计入BJT的各种二级效应（如基区宽度调制效应、基区展宽效应、温度的影响等），则得到EM3模型。EM3模型与所谓G-P模型（Gummel-Poon model）是等价的，模拟精度很高，但较为复杂，故这种模型只有在要求较高精度时才使用。
（2）E-M模型描述：对于理想BJT（本征晶体管）的EM1模型，实际上是基于正向和反向工作的两个BJT的叠加、并分别用两个p-n结二极管来代表发射结和集电结这样一种概念而建立起来的，即是采用两个二极管（正偏二极管的电流为If，反偏二极管的电流为Ir）和两个电流源（αfIf和αrIr）来表示一个理想的BJT（αf和αr分别是正向和反向电流增益），这就可给出基本E-M模型的直流大信号等效电路。
E-M方程是根据器件的基本物理特性而建立起来的，其中含有四个模型参量，但实际上只有三个是独立的参量，并且这些参量都可以与器件的材料、工艺和结构参数联系起来。然而，E-M方程也可以看成是经验的关系式，其中的参量可以通过与实验数据相比较来求得。E-M方程适用于BJT的各种工作状态。
对于实际的BJT，在本征晶体管模型的基础上，还需要考虑其他一些因素的影响。实际BJT的直流大信号E-M模型需要加上与各个电极相应的串联电阻。而实际BJT的交流大信号E-M模型还进一步增添了两个结的耗尽层电容（CE，CC）和表征Early效应的电流源（电流等于VECIC/VA）。
（3）E-M模型的优点：E-M模型具有以下一些优点：
①模型参数能较好地反映晶体管的物理本质；
②能把器件的电学特性与工艺参数联系起来；
③模型中的参数容易测量；
④该模型属于直流大信号模型，它不仅可用于BJT，而且也可用于p-n-p-n等结构较为复杂的器件；
⑤该模型虽然属于直流大信号模型，但若在电路分析程序（SPICE或PSPICE）中，再加入各种电容之后，即不仅可用于直流分析，而且也可用于瞬态分析。