Channel doping，沟道掺杂
这是制造MOSFET时所采取的一种工艺技术，就是在栅极氧化膜形成之后，在沟道区域通过离子注入技术把少量的施主或受主杂质离子（浓度为1011~1012/cm2）注入进去，以用来调整器件阈值电压的大小，这就称为沟道掺杂；对于n-MOSFET，为了增大阈值电压，需要掺入p型杂质，为了得到耗尽型MOSFET就需要掺入n型杂质。