双速度渡越时间二极管

双速度渡越时间二极管（Double Velocity TTD，DOVETTD）与雪崩注入渡越时间二极管（IMPATTD）以及势垒注入渡越时间二极管（BARITTD），都是渡越时间器件（TTD）。双速度渡越时间二极管即是利用“低速运动过程”来代替IMPATTD的注入过程，以实现一定的电流-电压的相位关系，从而获得微波振荡。

双速度渡越时间二极管的结构：由注入区和漂移区组成；其中注入区可采用p-AlGaAs(载流子的漂移速度比较低)，漂移区可采用n-GaAs (漂移速度比较高)。工作时，外加偏压要使得漂移区(n区)完全耗尽，但又不能使pn结的势垒消失。当有电子注入到p区后，即在p区以比较低的漂移速度运动，从而产生一定的注入延迟相位，并输出微波信号。

双速度渡越时间二极管的优点： 这种通过减慢漂移速度所造成的注入相位延迟要大于势垒注入的相位延迟，故DOVETT二极管的转换效率 (>25%) 要高于BARITTD；同时，器件工作时不出现雪崩倍增效应，故噪音也远低于IMPATTD。