横向双扩散MOSFET
横向双扩散MOS晶体管（Lateral Double-diffused MOSFET，LDMOS）：
这是着眼于减短沟道长度的一种横向导电MOSFET，通过两次扩散而制作的器件称为LDMOS；也可以通过两次离子注入来制作——得到所谓双注入MOSFET(简称为DIMOS)。这是功率（电力）MOSFET和功率IC的基本结构。
这种横向导电MOSFET的优点就在于：沟长L与光刻精度无关 (主要决定于杂质扩散精度或多晶硅栅掩蔽注入的精度), 则可控制L到1μm以下；较高掺杂的p区把源区和漏区隔开来了, 使得S-D之间不容易穿通, 则耐压提高；轻掺杂n区的表面导电很好, 电子容易达到饱和速度；n区可承受较高的电压, 则提高了击穿电压；在漏结附近, 击穿电压提高，而电离倍增和热电子注入效应降低；电极均在同一表面上, 容易集成。
缺点是：阈值电压的控制比较困难 (阈值电压主要决定于p区表面的掺杂浓度)；沟道区是高掺杂区，表面电容较大, 则器件的亚阈特性较差；管芯占用面积较大, 频率特性也受到一定的影响。