原子层腐蚀技术
原子层腐蚀技术（ALE）是一种重要的纳米级加工技术。其基本原理是：首先在衬底表面上吸附反应气体分子，然后采用光、电子束或者离子束去激发气体分子，使得气体分子与衬底表面原子发生反应，从而去掉衬底表面的一个原子层；重复进行吸附-激发-反应，即可去掉衬底表面的多个原子层。
例如，在Si衬底表面上首先吸附一层F自由基（通过CF4和O2的混合气体进行微波放电来得到），然后采用Ar离子（可通过ECR等离子体来获得）照射衬底表面，使得F与Si反应，从而去掉衬底表面的一个Si原子层；接着，再让Si衬底表面上吸附一层F自由基，并再用Ar离子照射，这又通过形成F-Si反应物而去掉一层Si原子；如此反复进行，即可去掉Si衬底表面的数个原子层。[1]