pn结耗尽层
pn结耗尽层是半导体器件中采用最广泛的一个概念，即是认为pn结的空间电荷区是一个完全不存在载流子的区域，称为pn结耗尽层；这实际上对于一般的pn结都是一种很好的近似。不管是在分析pn结的势垒电容、还是分析pn结的击穿特性时，无不采用这个耗尽层近似的概念，因为如果不采用该近似的话，问题就变得很复杂，几乎难以进行精确的分析处理。
pn结耗尽层这个概念之所以成立，主要是由于空间电荷区中存在有较强的内建电场，其中的载流子将基本上都被电场驱赶出去了，因此，通常就可以认为空间电荷区中的电荷几乎完全是由电离杂质中心所提供的，即主要是电离的施主和受主杂质中心的电荷，这种空间电荷区就称为耗尽层（意即其中的载流子——电子和空穴都被耗尽了）。对于一般的pn结，通常在空间电荷层中的载流子数量不会太多，因此常常可以近似认为空间电荷层中的电荷绝大多数是由电离杂质中心所提供的，即可简单地把空间电荷层近似地看成是耗尽层，这就是所谓的耗尽层近似。[1]