晶体管自对准技术
自对准技术（Self-aligned technology）：
这是制作MOS大规模集成电路的一种重要工艺技术。采用该技术即可减小其中MOSFET的寄生电容，大大提高工作频率和速度。
（1）问题的提出：
对于增强型MOSFET，如果栅电极与源/漏区域之间存在有间隙的话，则器件工作时沟道就不能导通，因此在早期的铝栅电极MOSFET结构中，考虑到工艺对准的误差，往往在栅电极与源/漏区域之间设置了一定的重叠覆盖的部分；但是，假若此重叠部分过大、使得栅-源之间和栅-漏之间的寄生电容增大的话，那就会导致器件的高频特性变坏（特别，栅-漏之间的寄生电容是密勒电容，影响更大）。所以，为了使器件能够导通，而又不致使器件的高频特性劣化，就要求栅-源之间或栅-漏之间的重叠部分尽量的小，即达到高精度的对准。自对准技术就是能实现这种目的的一种有用的技术。
（2）工艺举例：
自对准技术与常规技术的工艺步骤完全不同，在常规的MOS技术中是先制作源、漏极，然后再制作栅极；但是自对准技术则是先制作栅极，然后再制作源、漏极。在自对准技术中，实际上就是利用栅极本身作为掩模来进行n源区和漏区的离子注入，使得其间的重叠部分几乎减小到了0；能够用作为自对准技术的栅极材料，必须要使用耐热性好的多晶硅薄膜才行，因为在注入约10cm的P或As离子后还需要在800C~1000C下进行热处理，这对于Al栅材料是不行的。在用离子注入自对准形成n源区和漏区的同时，也往多晶硅栅极薄膜中注入了P或As离子，这也有效地降低了多晶硅栅极的电阻（热处理后方块电阻可低至30Ω/□）。
当然，在某些特殊场合，也有采用不同于这里所讲的自对准技术。[1]