多能谷半导体

多能谷半导体(Multi- energy valley semiconductor) :

是指具有多个导带极小值的半导体。常见的Ge、Si、GaAs都属于这种半导体。

Si的导带在Brillouin区的<100>轴上有6个等价的极小值（相应的波矢约等于最大波矢的0.85倍）；Ge的导带在Brillouin区的<111>轴上有4个等价的极小值（在Brillouin区边缘上，相应的波矢最大）；GaAs的导带在Brillouin区中心有一个能量最低的极小值（常常称为主能谷），并且在接近Brillouin区边缘处的<111>轴上有8个等价的能量约高0.31eV的极小值（常常称为次能谷）。