量子线场效应晶体管

量子线场效应晶体管，Quantum line FET（QL-FET）：

这是采用导电的量子线作为导电沟道的一种场效应晶体管。其特点是：1) 量子线中一维电子气的迁移率将随着电子浓度的增加而大大提高，从而使得QL-FET具有具有优良的高速工作性能。2) 在低温( kT <子能带间隔)下，若沟道(量子线)很短（呈现弹道输运），而且源-漏电压Vds又很低，则沟道中的电子都将处在最低的一个子能带上，并将呈现出弹道区的量子电导效应，电导 = 2 q2 / h ≈ 80mS ；则电流为 Ids = 2 q2 Vds / h ，即伏安特性呈现为线性关系；可见，这时器件的电导和电流与电子浓度(数目)无关。利用碳纳米管来制作沟道的所谓碳纳米管场效应晶体管（CNT- FET），就是一种典型的量子线场效应晶体管。[1]