谐振隧穿晶体管
谐振隧穿晶体管，Resonance Tunneling Transistor(RTT) ：
* RTT有多种结构，它们都是在双势垒-量子阱RTD（谐振隧穿二极管）的基础上, 再加上一个栅极而构成的。改变栅电压Vg来控制谐振隧穿的穿透率, 从而控制通过器件的电流。各种具体结构RTT的工作原理和特点是：
(1) 量子阱栅极结构 ~ 改变Vg时, 阱中的能级上下变动, 从而可控制电流。为了确保势阱的导电性, 阱中的基态能级应该比电极的Fermi能级EF要低。量子阱材料可用InGaAs或金属来制作。
(2) Schottky栅(或p-n结栅)结构 ~ 反偏Vg改变耗尽层宽度，使S-D电流通路的横截面积改变, 从而控制电流的大小。
(3) 表面谐振隧穿FET ~ 表面沟道垂直于势垒和量子阱；改变Vg，使量子阱中2-DEG的Fermi能量 (即入射电子波的波长) 改变，导致电子波的透过特性变化，从而S-D电流变化。
(4) 谐振隧穿热电子晶体管(RHET) ~ 用RTD取代BJT中的发射结即构成。其输入特性具有高度的非线性特性 (电流峰值对应于谐振隧穿)，从而增强了器件的电路应用功能。
* 谐振隧穿器件的应用性能：
①谐振隧穿器件都是电压控制器件 ~ 通过改变栅极电压来把量子阱相对源的能级进行调整, 使得实现电流开关或放大。因此, 用小的栅极电压可以控制流过器件的大电流。
②可用作为开关或(和)放大器 ~ 这种纳米尺寸的量子效应器件的开关性能比MOSFET更优越。
③可实现多态逻辑功能 ~ 如果势阱中的能级被分离得足够宽, 则当偏压(或栅极电压)增加时, 势阱内的不同能级将会依次连续地与源导带发生谐振和非谐振, 将出现电流的多次开和关, 即出现多个状态。对RTT, 这种多态特征可通过改变栅极电压而获得。相对于两态的MOSFET, 若采用这种多态量子效应器件来实现某个逻辑功能的话, 需要的器件数目要少, 则每一功能的热耗散就少。利用多态量子效应器件的这种优势，可做成混合微电子-纳米电子器件。[1]