半导体长波限

半导体长波限（Long wavelength cutoff）：

对于半导体材料或器件的光吸收，当光波的波长大于某个波长λc时光吸收系数急剧下降，此λc即称为长波限。长波限主要决定于材料的禁地宽度Eg，有λc[μm] = 1.24 / Eg[eV] 。例如，对Si是1.1μm，对Ge是1.8μm。

长波限对于光探测器具有重要的意义，长波限越长，则能够探测的光波长也就越大。例如，Ge探测器的探测波长就大于Si探测器。