半导体长波限
半导体长波限(Long wavelength cutoff):
对于半导体材料或器件的光吸收,当光波的波长大于某个波长λc时光吸收系数急剧下降,此λc即称为长波限。长波限主要决定于材料的禁地宽度Eg,有λc[μm] = 1.24 / Eg[eV] 。例如,对Si是1.1μm,对Ge是1.8μm。
长波限对于光探测器具有重要的意义,长波限越长,则能够探测的光波长也就越大。例如,Ge探测器的探测波长就大于Si探测器。
半导体长波限(Long wavelength cutoff):
对于半导体材料或器件的光吸收,当光波的波长大于某个波长λc时光吸收系数急剧下降,此λc即称为长波限。长波限主要决定于材料的禁地宽度Eg,有λc[μm] = 1.24 / Eg[eV] 。例如,对Si是1.1μm,对Ge是1.8μm。
长波限对于光探测器具有重要的意义,长波限越长,则能够探测的光波长也就越大。例如,Ge探测器的探测波长就大于Si探测器。