国瑞电子材料有限责任公司
国瑞公司国瑞电子材料有限责任公司（简称国瑞公司）是由有研半导体材料股份有限公司（有研硅股）、北京有色金属研究总院共同出资于1999年12月在河北省廊坊经济技术开发区注册成立的，注册资本3500万元，其前身为有研硅股化合物半导体分厂。2000年12月，有研硅股将持有的国瑞公司95%股权中的10%转让给重庆市佳德科技发展有限公司。
公司是国内唯一的批量生产水平GaAs晶片、GaP晶片的企业，占地面积1万m。2001年8月，GaAs单晶及晶片、GaP单晶及晶片等生产线通过ISO9002质量体系认证。
主要成果1958年以来，在化合物半导体材料研发方面取得40多项重大成果。主要成果有：
1959年研制出我国第一根砷化镓单晶
1964年研制出直拉砷化镓和磷化铟单晶
1979年建立国内第一条砷化镓生产线
1979年首次研制出LED用GaP单晶
1994年研制出我国第一根直径3英寸水平砷化镓单晶
1997年研制出我国第一根直径4英寸LEC－SI砷化镓单晶
1999年拉制出我国第一根直径4英寸VCZ法砷化镓单晶
组织机构总经理办公室、生产技术部、质量管理部、销售部、采购部、设备动力部。
管理团队国瑞电子材料有限责任公司总经理：郑安生。