功率晶体管原理
图书信息
书 名: 功率晶体管原理
作者：万积庆
出版社：湖南大学出版社
出版时间： 2009年03月
开本： 16开
定价: 43.00 元
内容简介《功率晶体管原理》首先介绍Si和SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术，并讨论肖特基二极管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数；然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。《功率晶体管原理》可以作微电子技术与微电子学、电子科学与电子技术、电力电子技术专业本科生教材或教学参考书。
图书目录第1章 材料参数物理
第2章 PN结的击穿与终端造型技术
第3章 功率整流二极管
第4章 双极功率晶体管
第5章 功率MOSFET
第6章 绝缘栅双极晶体管
参考文献
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