氧化诱生层错
氧化诱生层错OSF（Oxidation-Induced Stacking Faults）存在于表面和体内。表面的OSF一般以机械损伤、金属沾污、微缺陷（如氧沉淀）在表面的显露处等作为成核中心；体内的Bulk-OSF则一般成核于氧沉淀。
通常Bulk-OSF呈环状分布，就是所谓的OSF环，其成核于环状分布的氧沉淀，这与晶体生长参数密切相关。
在晶体生长时会形成本征点缺陷，在冷却后硅中本征点缺陷是过饱和的。在晶体冷却过程中，部分空位（V）和自间隙硅原子（I）相复合，过剩的自间隙可形成位错环；过剩的空位聚集形成空位团，或者与氧相互作用形成V-O复合体，并长大成为氧沉淀。
晶体生长时，籽晶和坩埚都在转动，因此可以认为热场是轴对称的。大量研究表明硅片中存在环状OSF对应于[v]=[I]。[V]表示空位浓度，[I]表示自间隙硅原子浓度，内部[V]>[I ]，外部则相反。当浓度V较高时形成void，较低时则与氧结合形成V-O复合体，在后续的热处理中长大成氧沉淀；大致在[V]=[I]处，氧产生异常沉淀，在后续的热氧化中会形成OSF。此环的半径r由晶体生长速度v与固液界面处的轴向温度梯度G的比值a=v/G决定，a增加则r增加，由于晶体表面的轴向温度梯度较中心大，由上面的分析可知存在某个临界ac 使得在其内部为V富集区域，外部为I富集区域。
晶体生长结束尾部可迅速降至400摄氏度一下，而头部则是缓慢的冷却，相当于经历了一定程度的热处理，V聚集形成void吗，间隙氧与V作用形成氧沉淀。实际生产中r-OSF一般不可能消失于晶体中心，而是倾向于向体表移动，直到移到体外，在接近ac 处，当空位和间隙氧浓度处于特定值时，会相互作用生成异常氧沉淀。当OSF成核与此氧沉淀时便形成OSF环。当然并不是所有的氧沉淀都会引起OSF：氧沉淀太大或者应力太大则成环，应力太小则不足以引起OSF环。