微纳米MOS器件可靠性与失效机理

图书信息

书 名: 微纳米MOS器件可靠性与失效机理

作者：郝跃 夏建白

出版社：科学出版社

出版时间： 2008年03月

ISBN: 9787030205865

开本： 16开

定价: 78.00 元

内容简介本书主要介绍了微纳米MOS器件的失效机理与可靠性理论，目的是在微电子器件可靠性理论和微电子器件的设计与应用之间建立联系，阐述微纳米MOS器件的主要可靠性问题和系统的解决方法。全书论述了超大规模集成电路的可靠性研究现状，提出超大规模集成电路面临的主要可靠性问题;描述了微纳米MOS器件的主要失效机理和可靠性问题，以及上述各种失效机制的可靠性加固方法等，也是作者十余年子阿该领域从事的科学研究和国内外相关研究的部分总结。

图书目录序

前言

第1章 VLSI发展与可靠性研究进展

第2章 微纳米MOS器件的热载流子效应

第3章 MOS器件的热载流子损伤特性及物理模型

第4章 超薄栅氧化层的经时击穿效应

第5章 微纳米MOS器件的NBTI效应

第6章 微纳米MOS器件的耦合效应

第7章 等离子体工艺及诱生的器件失效

第8章 CMOS器件的ESD与损伤机理

第9章 ULSI中铜互连可靠性相关技术

第10章 微纳米MOS器件的可靠性加固方法

第11章 VLSI可靠性评价与估计

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