晶圆减薄

集成电路制造技术的进步首先来源于市场需求的要求，其次是竞争的要求。在集成电路制造中，

半导体硅材料由于其资源丰富，制造成本低，工艺性好，是集成电路重要的基体材料。

从集成电路断面结构来看，大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造。由于制造工艺的

要求，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求。因此在几百道工

艺流程中，不可采用较薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。通常在集成电

路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工

艺，对应装备就是晶片减薄机。

作用：

1.通过减薄/研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯片散热效果。

2.减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。

常规工艺:

减薄/抛光到80-100um

粗糙度: 5-20nm

平整度: ±3um