硅微条探测器

硅微条探测器

Silicon Strip Detector

硅微条探测器是在一个n型硅基的上表面附着一条条重掺杂p+型微条，将整个硅基底面作成重掺杂的n+层而制成的。整个硅微条探测器实际上就是一些平行的PN结，中间夹杂的是PN结的耗尽层，也是探测的灵敏区。

在硅微条探测器上部的微条表面镀有铝膜，作为信号读出条；整个底面也附有一层铝，作为电极接触。在探测器上加高压，使中间的耗尽层扩展到整个n型硅基，同时形成很强的电场。当带电粒子穿过硅微条探测器的灵敏区时，将产生电子－空穴对。在强电场的作用用，电子向正极（底板）漂移，空穴向有负偏压的微条漂移，于是便能在微条上读出电荷信号，其后会经过前置放大器将信号放大，作进一步的处理等。

根据探测器系统测得的带电粒子的信息，及带电粒子在各个微条上的位置参量，可以确定各有关带电粒子的运动轨迹及对撞后末态粒子的次级顶点等等。

由于硅微条探测器可以做的很薄(300um左右），因此读出信号用的时间很短，使探测器有很快的时间响应（约5ns）。硅微条探测器是半导体探测器的一种，其能量分辨率比气体探测器高一个数量级，比闪烁体探测器高的更多。同时由于半导体的平均电离能与入射粒子的基本能量无关，探测器能有很好的线性范围。