施天生

施天生，1936年1月生，江苏海门人。中共党员。1954至1960年就读于前苏联莫斯科钢铁学院物理化学系。

毕业后，到中国科学院上海冶金研究所工作。其间：1981-1983年在美国纽约州立大学奥尔巴尼分校物理系固体缺陷研究所作访问学者，从事硅中氢的研究；1989年5月至11月在比利时安特卫普大学电镜中心作访问教授。从事电镜在材料科学方面应用的合作研究。

在中国科学院上海冶金研究所任研究员，材料物理学科博士导师。历任金属物理实验室副主任，材料物理测试室主任和《功能材料与器件学报》执行副主编。主要从事固体材料中杂质、缺陷和微结构的研究。先后在金属和合金中的淬火空位，半导体材料中的杂质—缺陷复合体和氧化物高温超导材料的缺陷和微结构等方面开展研究，共发表论文90多篇，其中有关硅中氢的论文获得中国科学院科技进步奖。