胡经国
个人简介胡经国[1]，教授，博士，扬州大学硕士生导师。 1983.9 -1987.6苏州大学物理系物理学专业获理学学士； 1987.8 -1989.7苏州大学物理系理论物理专业硕士研究生；1999.8-2002.6南京大学物理系获理论物理专业博士学位；2005.4 -2006.5澳大利亚西澳大学物理学院访问学者。1989.7 -1998.8扬州大学工学院助教、讲师；1998.9-至今 扬州大学副教授、教授。2002年扬州大学优秀青年骨干教师；2006年扬州大学新世纪学术带头人；2007年扬州大学课堂教学质量一等奖。先后在PRB, APL等国内外著名学术期刊上发表SCI收录论文三十余篇，近期主持完成了国家理论物理专款项目“磁性多层膜交换藕合及其相关物理效应”和主要参加了国家973第二课题“自旋阀及相关电子材料的机制及应用研究”子项目等。
研究领域目前主要研究领域： 1）磁性多层膜中的磁电、磁光性质特征及其应用研究；
2）复杂系统中的统计物理学及其模拟研究。
已有的研究工作：
①受限磁性薄膜中的自旋波激发特征
通过对金属铁磁磁条的平行磁矩传播非稳定阈值极限性质的研究，得到了边界、界面受限制的系统中磁激发的量子化可导致多个截止微波磁场极限值的出现。并且，随着磁条宽度的增加，其极限值发生不连续的变化。但其静磁相互作用使得在极限曲线扭结处出现了第二精细结构。这个效应可以被用来精确测量图纹磁材料中的微波损耗并和相关的实验进行了比较[Phys. Rev. B 76, 054422 (2007)]。
②铁磁半导体/超导/铁磁半导体多层膜中的隧穿电流
扩展了Blonder- Tinkham-Klapwijk方法，考虑Andreev反射、磁性半导体和超导之间的有效质量和费米速度的不匹配以及界面处的势散射等因数，研究了铁磁半导体/超导/铁磁半导体中的相干自旋极化输运。发现这些因数对反射率、透射率和微分电导随能量的变化所出现的振荡有各自不一样的影响，这远远不同于铁磁/超导/铁磁双隧道结的情况。找到了一个用电导谱来直接测量铁磁半导体的自旋极化率的方法，但该电导谱对界面处的势散射强度和能量的依赖关系很微弱[ Phys. Rev. B 72, 165329 (2005)]。
③铁磁/反铁磁双层膜中的交换交换偏置场、矫顽场
用微磁学理论，具体地讨论了反铁磁层颗粒膜颗粒粒径大小、分布以及初态磁异性取向等对交换偏置场、矫顽场的温度依赖性的影响，比较好地解释了在铁磁层的居里温度高于反铁磁层的奈尔温度下其交换偏置场、矫顽场对温度的依赖均存在极值的实验现象。并弄清了相关机理，为在实验上制备高性能的稳定的铁磁和反铁磁双层膜提供翔实可靠的理论指导[Eur. Phys. J. B 40, 265 (2004)]。
课题研究1）受限的铁磁/反铁磁双层膜中的磁畴动力学行为与其磁化特性，国家自然资金面上项目（编号：10974170，32万，2010.01-2012.12，负责人）；
2）极端天气气候事件的检测和可预测性关键技术研究，国家科技部科技支撑计划项目（编号：2007BAC29B01，100万，2008.01-2011.12，负责人）；
3）磁性多层膜中的磁电性质，教育部国际合作与交流司（编号20071108，2+2万元，2007.6 -2010.6，负责人）