黄得星
教授。朝鲜平安南道江西部人。1950年加入中国籍。1958年毕业于吉林大学物理系。历任黑龙江大学讲师、副教授、教授、敏感技术研究所所长。从事半导体器件及敏感器件理论的研究。1976年试制成功2DCM型硅磁敏二极管。1980年研制成功3CCM型硅磁敏晶体管。撰有论文《长基区晶体管的磁敏感效应》、《双注入长二极管的磁灵敏度理论》,著有《磁敏感器件及其应用》。
教授。朝鲜平安南道江西部人。1950年加入中国籍。1958年毕业于吉林大学物理系。历任黑龙江大学讲师、副教授、教授、敏感技术研究所所长。从事半导体器件及敏感器件理论的研究。1976年试制成功2DCM型硅磁敏二极管。1980年研制成功3CCM型硅磁敏晶体管。撰有论文《长基区晶体管的磁敏感效应》、《双注入长二极管的磁灵敏度理论》,著有《磁敏感器件及其应用》。