砷化镓
（gallium arsenide）化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点 1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，性能比硅更优良。它的禁带宽度大，电子迁移率高，介电常数小，能引入深能级杂质，电子有效质量小，能带结构特殊，具有双能谷导带，可以制备发光器件、半导体激光器、微波体效应器件、太阳能电池和高速集成电路等，广泛用于雷达、电子计算机、人造卫星、宇宙飞船等尖端技术中。
基本属性:
规 格
砷化镓
传输范围 (微米)
1.0-22
折射指数@10微米
3.277
折射指数的温度系数@10.6微米,
149 x 10/度
体积吸收系数@10微米 / 厘米
<0.01
熔点, 度
1600
硬度 (努普), 千克/平方毫米
750
密度, 克/立方厘米
5.37
断裂模数, 兆帕
13.8
杨式弹性模数, 千兆帕
8.3
断裂韧度 兆帕/米
0.31