王怀兵
王怀兵
1986年7月毕业于浙江大学化学工程专业；1991年6月获得浙江大学化学工程专业硕士学位；2001年3月毕业于中国科技大学材料科学与工程系，并获得博士学位。2001年4月，进入深圳方大集团股份有限公司工作，先后在多家公司任职，2006年进入苏州纳米研究所，任项目研究员。
王怀兵博士主要致力于工业化生产，作为苏州纳米所的老员工，王怀兵负任III-V族氮化物课题组组长，该课题组现已经解散。
王怀兵博士2008年苏州纳米所的推动下，注册苏州纳晶光电有限公司，注册资金200万，后风险投资增资到800万。公司拥有全职员工2人，分别为总经理王怀兵和公司职员陈会计，其他人员均为纳米所挂职人员，销售人员孔先生系苏州纳米所兼职人员。公司主要利用苏州纳米所的一台科研型MOCVD进行GaN外延片的研发，主要致力于低端外延片的研发。经过3年努力，LED低端外延片可以量产，电压低于3.5V（20mA），亮度超过17mW（14mil），良率超过60%，可以在景观等低端领域使用。
在政府和苏州纳米所的推动下，苏州新海宜2011年7月通过资产和现金方式向纳晶公司注资2.7亿，正式加入LED领域，其团队主要由王怀兵博士重新组建，先前的研发团队已经解散。公司主要购买外延片加工LED芯片。目前还在筹备阶段，产品尚未进入市场。