金亿鑫

基本信息姓名: 金亿鑫

性别: 男

主管部门: 中国科学院

技术职称: 研究员

出.生.地: 北京

出生日期: 19400730

专业领域: 物理, 专业代码:140

外语: 英语, 法语

机构类别: 研究单位高技术计划

行政地区: 吉林 长春

职务: 中国科学院长春物理研究所 研究员, 材料与工程科学部 评审委员, 长春地质学院 教授

学历: 1965 北京大学 中国1979-1981 法国朗格道克科技大学 博士 法国

任职: 中国物理学会发光学科分会 副理事长 中国

个人成就1988-1995 主持 含SbIII-V族化合物的MOCVD生长, 1984-1988 主持 常压MOCVD系统的研究, 1979-1981 参与 CdF2:Eu3+的热激弛豫研究, 1972-1978 主持 II-VI族单晶的汽相化学输运生长

论文专著1994 多孔硅表面层的可见光发射 发光杂志 荷兰, 1982 CdF2:Eu3+的热激弛豫 物理杂志,固体物理 英国, 1981 实用电致发光 科学出版社 中国

受奖情况1984-1989 III-V,II-V常压MICVD系统 科学技术进步奖 中国科学院1972-1979 ZnSe单晶的相化学输运生长 科学技术进步奖 中国科学院

工作简历1965-1979 中国科学院长春物理研究所 实习研究员, 1979-1981 法国蒙彼利埃市朗格道克科技大学 访问学者, 1990- 中国科学院长春物理研究所 研究员, 1981-1986 中国科学院长春物研究理所 助理研究员, 1986-1990 中国科学院长春物理研究所 副研究员

本人介绍１９６５年由北京大学物理系毕业后一直在中国科学院长春物理研究所工作。１９８１年在法国访问工作期间获物理科学博士学位。１９８７年以来应国家科委聘任，先后任国家高技术研究与发展计划新材料领域专家组成员、功能材料专家组副组长和专家委员。１９９２年任研究所副所长，１９９５年任研究所所长。近处的研究兴趣在功能材料。