抑制性突触后电位
抑制性突触后电位（Inhibitory postsynaptic potential, IPSP）是突触前膜释放抑制性递质（抑制性中间神经元释放的递质），导致突触后膜主要对Cl-通透性增加，Cl-内流产生局部超极化电位。
特点：（1）突触前膜释放递质是Ca2+内流引发的；（2）递质是以囊泡的形式以出胞作用的方式释放出来的；（3）IPSP是局部电位，而不是动作电位；（4）IPSP是突触后膜离子通透性变化所致，与突触前膜无关。
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抑制性突触后电位（Inhibitory postsynaptic potential, IPSP）是突触前膜释放抑制性递质（抑制性中间神经元释放的递质），导致突触后膜主要对Cl-通透性增加，Cl-内流产生局部超极化电位。
特点：（1）突触前膜释放递质是Ca2+内流引发的；（2）递质是以囊泡的形式以出胞作用的方式释放出来的；（3）IPSP是局部电位，而不是动作电位；（4）IPSP是突触后膜离子通透性变化所致，与突触前膜无关。