多晶硅杂质: 浇铸多晶硅含的杂质一般来源于石英坩埚的氧、石墨加热器或石墨坩埚的碳以及一些金属杂质。在多晶硅太阳电池制造的热处理过程中,氧会沉淀,形成不同形式的硅氧复合体,限制电池的效率。一般浇铸多晶硅中碳的含量比直拉单晶硅的要高。多晶硅中存在的重金属杂质对少子寿命是非常有害的,目前正在利用各种吸杂方法来减少重金属杂质的影响。