杨思泽
简历：男，1947年2月生，1978年6月毕业于美国加州大学柏克利分校核工研究所，博士学位，现任中科院物理研究所研究员、博士生导师。
主要研究方向：低温等离子体与等离子体应用基础研究。
过去的主要工作及获得的成果：成功地将等离子体核聚变领域的一些原理和机制用于材料表面改性领域，研制开发出许多具有自主知识产权的装置和技术。首次利用高能量密度等离子体束（PHEDP）法制备出类金刚石、氮化钛、立方氮化硼等薄膜，在陶瓷表面金属化方面做过许多开创性的工作。首次将等离子体源离子注入（PSII）技术应用与材料内表面改性处理，并对其特性进行了系统地实验研究。在国际著名学术刊物（SCI）上发表论文130余篇，获国家专利6项，获得部级科技进步三等奖1次，国际会议邀请报告4次。
目前的研究课题及展望：
1.真空弧结合空心阴极弧材料表面改性研究
2.高能量密度等离子体枪装置及材料处理研究
3.管件内壁等离子体注入材料改性研究
4.等离子体电解沉积制备功能性薄膜
5. 等离子体生物医用材料表面改性及生物相容性研究
6. 大气压条件下介质阻挡放电等离子体对植物种子处理的研究
目前主持的研究项目有国家自然科学基金项目，863项目，北京市科技计划项目各一项。