曹则贤
简历：男，1966年3月出生，1987年毕业于中国科技大学物理系，1997年获德国Kaiserslautern大学物理学博士学位。1998年入选中科院“百人计划”。现任中国科学院物理所研究员，博士生导师，课题组长。
主要研究方向：薄膜的生长与机理；新材料探索；表面的电子能谱扫描探针谱分析；固体表面的原子过程与修饰；纳米结构发光与器件；脉冲电子束薄膜沉积技术，微结构与量子力学。
目前从事工作包括：复合纳米硅体系的发光；宽禁带化合物半导体设计；SiC外延薄膜生长；贵金属氮化物热稳定性设计与合成；应力驱动微结构的自组织；微重力现象等。
过去的主要工作及获得的成果：长期从事低能离子同固体表面的相互作用，薄膜生长机理和表面电子谱学与扫描探针谱学方面的研究以及超硬透明导电材料探索。首次给出离子轰击诱导深度轮廓的演化方程，发展了一套俄歇谱溅射深度轮廓技术。系统研究了（等）离子束辅助生长参数对轻元素化合物薄膜生长过程和性质的影响，在宽禁带半导体材料如 SiCN，AlCN，BCN的设计方面获得一批成果。率先实现了纳米硅复合薄膜体系的可见光全谱发光，目前已把纳米硅颗粒的尺寸和密度都推至物理极限，最小波长为428nm，外量子效率超过3％，衰减时间小于纳秒。自行设计研制了多功能UHV镀膜系统，电子回旋共振波等离子体薄膜生长系统和脉冲电子束薄膜沉积系统。利用曲面上应力驱动自组织首次在微观世界里实现Fibonacci Spiral Patterns，并实现了手性的控制。在贵金属氮化物薄膜中首次发现微米级五次对称的浮雕式形貌，并获得了在200K温区内为零的电阻温度系数。在 Science，APL等国际重要杂志上撰写文章40余篇。另撰写中文物理学教育／随感多篇。