郭维廉
郭维廉 1929年生，天津市静海县人。1952年毕业于清华大学物理系。天津大学电子工程系微电子技术专业学术带头人，教授。长期从事半导体器件研究。主要成果有：首次在国内研制成PECVD氮化硅抗反射膜 MIS硅单晶和多晶太阳电池；提出 P—N结击穿电压蠕变新的物理模型，达到国际领先水平，并以此作指导解决了变容二极管的电压蠕变问题；在澳大利亚访问时研制成当时hFE最高(30000)的 MIS隧道发射极硅晶体管，可用于提高增益电路；采用多晶硅发射极结构研制出在一55℃、100℃范围内 hFE温度系数小于13％的宽温区晶体管和在77K、 hFE近300的硅低温晶体管，后者可用于 CdTeHg探测器前放电路；曾提出并研制成一种具有双负阻特性，正阻易调，与 CMOS工艺相近的新型三端负阳器件；并研制成大功率LBT负阻器件；发现了 DUBAT负阻器件的双负阻特性和压(流)控调频效应，此类器件可用于逆变电源、节能灯、电机调速等领域。曾获得天津市科技进步二等奖、三等奖各1次。