金属氧化物半导体集成电路
金属氧化物半导体集成电路jīn shǔ yǎnɡ huà wù bàn dǎo tǐ jí chénɡ diàn lù
简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。一种ＣＭＯＳ结构的超大规模集成电路，可不受配线电容、门输入电容的影响而高速工作。把电流输出型门用作发送侧门１１，且只在信号的跃迁期间使电容器５４充放电，其电流经电流密勒电路５５、５６放大后流过导通电路１５。接收侧门３１是低输入阻抗电流输入型门。该门３１的结构为：将ＣＭＯＳ反相器３５的输入输出端短路连接，其两个电源连接端分别通过p沟道ＭＯＳＦＥＴ电流密勒电路３７、３９和n沟道ＭＯＳＦＥＴ电流密勒电路３８、４１而连接在正和负的电源端子１６及１７上，两个电流密勒电路的输出侧连接在导电通路１５上。