英文名称:
Acceptor type defect
中文名称:
受体型缺陷
说明:
也称为σ陷阱。为了说明具有乱层结构炭的正霍尔系数，Mrozowski 提出在有不配对σ电子的缺陷中因不配对电子起受体作用,故有此名称。即这一不配对电子将传导σ电子捕获，形成电子对，使位于导带和价带接触点的费米能级下降至价带中生成空穴，这一空穴可形成正的霍尔系数。
相关词汇:
Mvozowski模型,霍尔系数