孟祥提
学历
1964-1970年 清华大学工程物理系工程物理专业
1978-1981年 清华大学核能技术研究所新材料专业，助教，硕士研究生
1986-1987年 清华大学工程物理系和核能技术研究所，核材料专业，博士
工作经历
1971-1975年 清华大学核能技术研究所材料研究室，教师，特殊焊接班副班长兼扩散焊接课题组长；
1975-1976年 清华大学核能技术研究所材料研究室，焊接和腐蚀班负责人
1976-1981年 清华大学核能技术研究所材料研究室，性能测试班班长，助教
1981-1987年 清华大学核能技术研究所材料研究室，讲师，半导体材料中子掺杂课题组副组长
1987-1990年 清华大学核能技术研究所半导体和陶瓷材料课题组长，室主任，副教授
1992-1993年 国家科委工业科技司
1995－2003 清华大学核能技术设计研究院，教授，室主任，博士生导师
2004－至今 清华大学核能技术设计研究院，教授，博士生导师
研究工作
研究方向：材料科学，半导体材料工艺和性能，半导体物理和应用物理，材料和器件的辐照损伤和缺陷
1978-现在：从事核材料、半导体材料和器件等的辐照效应研究；
1970-1978：材料性能测试、特殊焊接、腐蚀。
文章著述
已先后在国内外杂志和会议上上发表学术论文130多篇， 其中列入 SC1 的30多篇、EI的 30多篇
1 Hydrogen-defect shallow donors in Si，Xiang-Ti Meng, Ai-Guo Kang and Shou-Ren Bai, Jpn. J. Appl. Phys. ,V40, Part 1, No.4A(2001) 2123-2126 SCI
2 Performance Analysis of Gamma-ray Irradiated Color Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Digital Image Sensors, 康爱国 孟祥提 刘井泉 尤政, Jpn. J. Appl. Phys. , Part 1, Vol. 42, No. 4A (2003) 1753-1756 SCI
3 Dark Output Characteristic of Gamma-ray Irradiated CMOS Digital Image Sensors, 孟祥提 康爱国, RARE METALS 21-1 (2002)p.79 SCI (网络版)
4 Degradation of B&W CMOS digital image sensor by Gamma-irradiation，孟祥提 康爱国 尤政，Jpn. J. Appl. Phys. Vol.41 No.8B (2002) pp.L919 - L921 SCI
5 Gamma-ray radiation and annealing effects on colour CMOS image sensors，孟祥提 康爱国 王醒宇 尤政, Semiconductor Science and Technology, 18-1(2003) L1-L3 SCI
6 Difference in electron- and gamma-irradiation effects on output characteristic of color CMOS digital image sensors， 孟祥提 康爱国 张喜民 李继红 黄强 李凤梅 刘晓光 周宏余，Rare Metals 已经接受发表 SCI (网络版)
7 Effects of electron and gamma-ray irradiation on CMOS analog image sensors， 孟祥提 康爱国 李继红 张海云 于世洁 尤政，Microelectronics Reliability, 43-7(2003) 1151-1155 SCI
8 SiGe HBT和Si BJT直流电学性能与γ射线辐照剂量的关系，康爱国 孟祥提 王吉林 贾宏勇 陈培毅 钱佩信, 半导体技术，No. 12( 2002)68-71 核心刊物
9 γ射线辐照对SiGe HBT直流电学性能的影响, 孟祥提 王吉林 陈培毅,第7届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会(2002-10-27，重庆)论文集，2001-11, p.139-142
10 一些MEMS应用器件粒子辐照效应研究综述, 康爱国 孟祥提,第7届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会(2002-10-27，重庆)论文集，2001-11, p.134-138
11 Comparison of neutron irradiation effects on electrical performances of SiGe HBT and Si BJT, 孟祥提 王瑞偏 康爱国, 王吉林 贾宏勇 陈培毅 钱佩信, RARE METALS Vol. 22, N.1 (2003) p.69-74 SCI (网络版)
12 Effects of Neutron Irradiation on SiGe HBT and Si BJT Devices, 孟祥提 杨宏伟 康爱国, 王吉林 贾宏勇 陈培毅 钱佩信,J Mat. Sci.: Mat. In electronics, 14-4(2003)199-203 SCI
13 The dependence of the DC electrical performance of SiGe HBT and Si BJT on γ-ray irradiation dose, 孟祥提 康爱国 郭吉林, Phys. Scripta, ―已经接受发表 SCI
14 Electron irradiation effects on DC electrical performances of SiGe HBT in a comparison with Si BJT,孟祥提 张喜民 王吉林 黄文韬 陈培毅 贾宏勇 钱佩信,Rare Metals ―已经接受发表 SCI (网络版)
15 Comparison of electron irritated SiGe HBT and Si BJT－电子辐照SiGe HBT和Si BJT直流特性分析, 黄文韬 王吉林 刘志农 陈长春 张磊 陈培毅 孟详提 钱佩信,材料科学与技术学报(JMST)，2003 已经接受发表 SCI (网络版)，EI
16 Effects of hydrogen on annealing behavior of neutron-radiation-induced defects in Si， X. T. Meng, A. Zecca, R. Brusa, W. Puff Phys. Rev. B Vol. 50, No. (1994) 2657-2660. SCI CDE PA 187
17 Interaction of hydrogen with neutron-induced vacancy defects in Si,Meng Xiang-ti，Solid State Commun, 90-7 (1994) 455-460. SCI CDE NK 619 ; EIP 94071332625
18 Vacancy-type defects in large-dose neutron-irradiated silicon containing hydrogen， Meng Xiang-ti， Phil. Mag. B 70-4 (1994) 905-911. SCI CDE PK 484
19 Positron annihilation study of silicon irradiated by different neutron doses， Meng X T and Puff WJ. Phys. Conden. Matters 6-26 (1994)4971-4980， SCI CDE NV 173; EIP 94091387061， INSPEC (94)4734280 A9418-6180H-002
20 Annealing behaviour of defects in neutron-transmutation- doped floating zone Si， Meng Xiang-tiJapan. J. Appl. Phys. 33-5A part 1 (1994) 2444-7. SCI CDE NU 126; EIP 95012508713
21 Defects and their specific trapping rates in neutron-irradiated Si,Meng Xiang-ti, Physica Scripta 50-4 (1994) 419-422. SCI CDE PM 390; EI ISSN:0031-8949 CODEN:PHSTBO
22 Hydrogen-induced defects in neutron-irradiated silicon,Meng Xiang-ti， Phys. Lett. A 189-5 (1994) 383-389. SCI CDE NU 230; EI ISSN:0721-7250 CODEN: APAMFC