半导体集成电路
半导体集成电路
semiconductor integrated circuit
半导体集成电路是将晶体管，二极管等等有源元件和电阻器，电容器等无源元件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路或者系统功能。
在一个半导体衬底上至少有一个电路块的半导体集成电路装置，在所述半导体衬底上有：设置在所述电路块边缘的多个焊盘和从所述电路块延伸至所述焊盘之间的多条布线；所述多个焊盘跟半导体集成电路装置的外部引线连接，且所述多条布线是在所述半导体衬底的主面上设有另一电路块时，用以跟来自该另一电路块的布线连接的布线，做成具有能够与来自该另一电路块的布线连接的形状。
基本概念:
1 电路的关态-指电路的输出管处于截止工作状态时的电路状态，此时在输出端可得到 VO=VOH，电路输出高电平。
2电路的开态-指电路的输出管处于饱和工作状态时的电路状态，此时在输出端可得到 VO=VOL，电路输出低电平。
3 电路的电压传输特性-指电路的输出电压VO随输入电压Vi变化而变化的性质或关系（可用曲线表示，与晶体管电压传输特性相似）。
4 输出高电平VOH-与非门电路输入端中至少一个接低电平时的输出电平。
5 输出低电平VOL-与非门电路输入端全部接高电平时的输出电平。
6 开门电平VIHmin-为保证输出为额定低电平时的最小输入高电平(VON)。
7关门电平VILmax-为保证输出为额定高电平时的最大输入低电平(VOFF)。
8 逻辑摆幅VL-输出电平的最大变化区间，VL=VOH-VOL。
9 过渡区宽度VW-输出不确定区域（非静态区域）宽度，VW=VIHmin-VILmax。
10 低电平噪声容限VNML-输入低电平时，所容许的最大噪声电压。其表达式为 VNML=VILmax-VILmin=VILmax- VOL(实用电路)。
11高电平噪声容限VNMH-输入高电平时，所容许的最大噪声电压。其表达式为 VNMH=VIHmax-VIHmin=VOH- VIHmin(实用电路)。
12 电路的带负载能力（电路的扇出系数）-指在保证电路的正常逻辑功能时，该电路最多可驱动的同类门个数。对门电路来讲，输出有两种稳定状态，即应同时考虑电路开态带负载能力和电路关态带负载能力。
13 输入短路电流IIL-指电路被测输入端接地，而其它输入端开路时，流过接地输入端的电流。
14输入漏电流（拉电流，高电平输入电流，输入交叉漏电流）IIH-指电路被测输入端接高电平，而其它输入端接地时，流过接高电平输入端的电流。
15 静态功耗-指某稳定状态下消耗的功率，是电源电压与电源电流之乘积。电路有两个稳态，则有导通功耗和截止功耗，电路静态功耗取两者平均值，称为平均静态功耗。
16 瞬态延迟时间td-从输入电压Vi上跳到输出电压Vo开始下降的时间间隔。Delay-延迟。
17瞬态下降时间tf-输出电压Vo从高电平VOH下降到低电平VOL的时间间隔。Fall-下降。
18 瞬态存储时间ts-从输入电压Vi下跳到输出电压Vo开始上升的时间间隔。Storage-存储。
19 瞬态上升时间tr-输出电压Vo从低电平VOL上升到高电平VOH的时间间隔。Rise-上升。
20瞬态导通延迟时间tPHL-（实用电路）从输入电压上升沿中点到输出电压下降沿中点所需要的时间。
21 瞬态截止延迟时间tPLH-（实用电路）从输入电压下降沿中点到输出电压上升沿中点所需要的时间。
22 平均传输延迟时间tpd-为瞬态导通延迟时间tPHL和瞬态截止延迟时间tPLH的平均值，是讨论电路瞬态的实用参数。
图书信息
书 名: 现代半导体集成电路
作者：杨银堂 刘帘曦
出版社：电子工业出版社
出版时间： 2009年04月
ISBN: 9787121082542
开本： 16开
定价: 28.00 元
内容简介
《现代半导体集成电路》全面介绍了现代半导体集成电路的基础知识、分析与设计方法。全书共分为5个部分，第一部分（第1~2章）为集成电路的基础知识，主要介绍各种集成器件的结构和模型、集成电路的典型工艺。第二部分（第3~5章）为双极集成电路，包括TTL、ECL及IIL逻辑门及逻辑扩展、双极差分放大器及双极运放电路等。第三部分（第6~8章）为CMOS数字集成电路，分为CMOS基本逻辑电路、CMOS数字子系统和现代半导体存储器、第四部分（第9~13章）为CMOS模拟集成电路，包括基本模拟电路单元、运算放大器、开关电容电器、数据转换器和锁相环。第五部分（第14~16章）为半导体集成电路设计的共性知识，介绍了集成电路的版图设计、可靠性设计、可测性设计和SOC的设计方法学、软硬件协同设计及仿真等。每章后面都附有习题。《现代半导体集成电路》可作为大专院校微电子学、电子科学与技术、电子信息工程等本科专业的教材，也可供有关专业的本科生，研究生和工程技术人员阅读参考。
图书目录
第1章 集成电路器件与模型
第2章 集成电路制造技术
第3章 晶体管一晶体管逻辑（TTL）电路
第4章 发射极耦合逻辑与集成注入逻辑电路
第5章 双极模拟集成电路
第6章 CMOS基本逻辑电路
第7章 CMOS数字电路子系统
第8章 现代半导体存储器
第9章 CMOS基本模拟电路
第10章CMOS运算放大器
第11章CMOS开关电容电路
第12章CMOS数据转换器
第13章CMOS锁相环（PLL）
第14章集成电路版图设计
第15章集成电路可靠性设计与可测性设计
第16章片上系统（SoC）设计初步
参考文献
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